●随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺获得了巨大的进步。但是近年来，平面型闪存存储器遭遇了如何突破存储电子密度极限等挑战。在此背景下，为解决平面闪存存储器遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维闪存存储器结构应运而生。其中，3D NAND因其小体积、大容量，并且通过增加立体硅层的办法，既可以提高单位面积存储密度，又能改善存储单元性能等优点，己经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。为此，不少企业就该工艺提交专利申请，开展
专利布局。
●在2019年专利复审无效十大案件中，一起涉及3D NAND闪存结构制作工艺的专利复审案件引发了业界广泛关注。
专利申请遭驳回
长江存储公司成立于2016年7月，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案，其供应的3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
2017年8月，长江存储公司向国家知识产权局提交了一件名为“一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法”的
发明专利申请（专利申请号：CN201710733227.0）。针对该申请，国家知识产权局实质审查部门（下称实质审查部门）于2019年2月作出驳回决定，认为在权利要求1与对比文件1具有的多个区别技术特征之中，部分区别技术特征是本领域的公知常识，其余区别技术特征是在对比文件2给出的技术启示下结合本领域的常用技术手段容易想到的。因此，权利要求1相对于对比文件1、对比文件2以及公知常识的结合不具备创造性。据介绍，对比文件1公开了一种半导体器件的制作方法，对比文件2公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法。
长江存储公司对上述驳回决定不服，于2019年4月向国家知识产权局提出了复审请求。
认定具备创造性
国家知识产权局成立合议组对该案进行审理。合议组认为，相对于驳回决定中引用的对比文件1、对比文件2以及本领域的公知常识，涉案专利申请的权利要求1具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具有创造性，符合专利法第二十二条第三款的规定。
该案合议组在接受本报记者采访时表示：“该案审理的焦点在于，孤立地来看涉案专利申请与对比文件1的区别，可能属于半导体领域的常用工艺手段，但对比文件1的发明目的与涉案专利申请不同，本领域技术人员是否具有改进动机成为涉案专利创造性判断的关键，具体到本案，对比文件1不具有改进的动机。对比文件2虽然公开了与上述区别类似的工艺手段，但该工艺手段在对比文件2中起到的作用与其在本申请中的作用不同，对比文件2没有给出相应的技术启示。因此，本领域技术人员在对比文件1、对比文件2公开内容的基础上，不能显而易见地得到本申请权利要求所请求保护的技术方案。”
综上，国家知识产权局于2019年8月作出第185132号审查决定，宣告撤销驳回决定，要求实质审查部门以该复审请求审查决定所针对的文本为基础继续进行审查。2019年9月30日，实质审查部门向长江存储公司发出授予发明专利权的通知书。
具有启示意义
该案的审理决定一经作出，就引发了社会的广泛关注。业内人士表示，该案对半导体行业专利布局具有启示意义，同时给出了在涉及半导体制造工艺类申请的创造性审查过程中，应当基于最接近的现有技术来判断是否能够产生改进动机，对于其他现有技术是否给出了技术启示的考量，如果区别特征在该其他现有技术中所起的作用与区别特征在发明解决技术问题的过程中所起的作用完全不同，则该其他现有技术难以给出将区别特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示。
此外，该案对国内半导体芯片企业突破国外巨头专利壁垒也有指导意义。记者在采访中了解到，如今半导体芯片市场中，一家企业很难拥有某一产品的全部技术，通常是多个具有竞争关系的企业形成相互缠绕的局面，这些企业通过掌握的专利技术相互制约和抢占市场份额。如今的半导体芯片市场中，核心专利大多已掌握在少数发达国家的企业手上，例如3D NAND存储技术主要掌握在美光、三星和SK海力士等跨国芯片制造厂商手中。这些跨国企业通常会以基础专利为核心，对相关的**技术布局专利，形成专利壁垒。而如何突破国外企业的专利壁垒，是目前国内芯片制造企业与这些跨国巨头进行竞争的焦点之一，这就要求国内芯片制造企业具有更强更有效的专利布局战略。
“面对跨国巨头们的专利壁垒，‘农村包围城市’式的专利布局战略也许会发挥独特的作用。”上海光华专利事务所（普通合伙）专利代理师罗泳文在接受本报记者采访时表示，针对跨国巨头所掌握的基础专利，企业在进行技术研发时可对其进行改进。
“长江存储公司提交的上述发明专利申请就属于改进型专利。”罗泳文介绍，提交改进型专利申请不会涉及侵权风险，只有生产制造和销售时，才会产生侵权行为。这种改进型专利一方面可以提高产品制造的效率及性能，提高产品的市场竞争力；另一方面，被授权也证明该技术属于领域中的一个技术空白点，企业可以寻找更多的技术空白点，并在这些空白技术点上布局一定数量的专利，形成专利圈，对基础专利进行包围，减弱基础专利的威胁甚至使其失去作用。如此一来，一方面可以促使对方进行交叉许可，企业可获得其基础专利的使用权；另一方面，通过不断创新，完成专利战略布局，还能逐步建立自身的专利技术体系。
案件亮点
该案的复审决定表明，在涉及半导体制造工艺类申请的创造性评判中，需要重点考虑涉及争议焦点的工艺细节在整体制造工艺中实际解决的技术问题和达到的技术效果，同时还需考虑以下方面的因素：现有技术存在的缺陷是否是本领域的普遍认知，现有技术中存在的类似手段是否是为解决这一缺陷而提出的等等。
首先，涉案专利申请涉及半导体芯片制造工艺，其工艺路线及手段发展相对成熟，其中如何发现导致产品性能不佳的工艺细节，是半导体芯片制造业中对于制造工艺改进的重点和难点。在现有技术中即使发现了产品存在性能不佳的情况，但未必能意识到导致性能下降的工艺细节存在的缺陷，例如对比文件1中由于没有限定具体的沉积工艺，该工艺细节也不属于本领域技术人员能够意识到的普遍存在的常识性的技术问题，因而对比文件1不存在改进相应技术问题的需求。
其次，在考虑其他现有技术是否给出了结合启示的判断中，不仅要考虑区别特征所涉及的技术手段本身是否已被现有技术公开，还要考虑该技术手段在该现有技术的整体技术方案中所起到的作用、解决的技术问题和获得的技术效果与其在涉案申请中所起到的作用、解决的技术问题和获得的技术效果是否相同，从而综合判断是否给出了技术启示。例如，对比文件2虽然公开了与涉案专利申请相同的技术手段，但其在对比文件2中所起的作用与其在涉案申请中所起的作用不同，所解决的技术问题和获得的技术效果也不同，因此对比文件2没有给出解决涉案专利申请相关技术问题的技术启示。
最后，半导体芯片制造行业在我国国民经济发展中具有举足轻重的重要地位。近年来，半导体芯片制造领域创新活跃，技术发展迅速，相关专利申请多涉及制造工艺细节，其对产品的性能、成本、成品率等有重要影响。从创新角度讲，涉及半导体制造技术的相关专利能够获得保护，可以鼓励半导体芯片制造业的技术人员更多地发掘已相对成熟的制造工艺中的技术缺陷并加以改进，对我国半导体产业创新发展具有重要意义。
